●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
●サイズ：4インチシリコンウェハ●Cu（銅）【スパッタ】膜厚み：1000nm狙い（データ付き）●直径（mm）：100.0±0.2●ウェハー厚（μm）：525±25●製造方法：CZ法●導電型：P型●面方位：100●抵抗値（Ω・cm）：1〜100●OF長（mm）：32.5±2.5●面状態：ミラー／エッチド●パーティクル：ダストフリー●TTV（μm）：≦20●数量：25枚（1箱）●※特注対応品●その他積層膜、パターニングなど多種取り扱いが御座いますので、お気軽にご相談下さいませ。
●多様な形状加工と表面処理が可能です（例：エッチング、ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。
●ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
●※膜ムラや膜厚みの狙いの商品につきましては、不問とさせて頂きます。
入数:1箱(25枚入)